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使用四探針?lè)ㄓ?jì)算薄層電阻的原理薄層電阻(也稱(chēng)為表面電阻或表面電阻率)是一種常見(jiàn)的電學(xué)性質(zhì)，用于表征導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料薄膜。它是通過(guò)薄正方形材料的橫向電阻的量度，即正方形對(duì)邊之間的電阻。與其他電阻測(cè)量相比，薄層電阻的主要優(yōu)勢(shì)在于它與正方形的大小無(wú)關(guān)，因此可以輕松比較不同的樣品。這一特性可以很容易地用四點(diǎn)探針并且在高效鈣鈦礦光伏器件的制造中是至關(guān)重要的，其中需要低薄層電阻材料來(lái)提取電荷。薄層電阻的應(yīng)用薄層電阻是任何薄膜材料的一個(gè)重要特性，電荷將在薄膜中傳播(而不是通過(guò))。例如，薄膜...

太陽(yáng)能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法（二）3.動(dòng)態(tài)伏安測(cè)量在動(dòng)態(tài)I-V測(cè)量中，測(cè)量各種電壓下的電流響應(yīng)，就像J-V掃描一樣。但是，在這種測(cè)量中，在記錄電流密度之前，需要等待測(cè)量值穩(wěn)定一段時(shí)間。這給出了太陽(yáng)能電池性能的非常精確的表示。事實(shí)上，一項(xiàng)比較不同實(shí)驗(yàn)室對(duì)太陽(yáng)能電池測(cè)量的研究認(rèn)為，這是表征鈣鈦礦太陽(yáng)能電池好的方法。然而，完整的J-V掃描可能需要很長(zhǎng)時(shí)間來(lái)測(cè)量，尤其是如果太陽(yáng)能電池表現(xiàn)出動(dòng)態(tài)行為。例如，使用動(dòng)態(tài)I-V測(cè)量來(lái)測(cè)量鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的一條J-V曲線需要幾個(gè)小時(shí)。只有...

太陽(yáng)能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法（一）太陽(yáng)光模擬器用于測(cè)量太陽(yáng)能電池的效率。為了表征太陽(yáng)能電池在現(xiàn)實(shí)世界中的表現(xiàn)，使用有效模擬太陽(yáng)光譜的太陽(yáng)光源至關(guān)重要。當(dāng)然，你可以使用真正的陽(yáng)光，但是這會(huì)引入一些不可控的變量。為了可靠地測(cè)試太陽(yáng)能電池，你需要在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)保持受控的條件。此外，許多太陽(yáng)能電池的材料在早期的開(kāi)發(fā)階段不能經(jīng)受氣候影響。由于這些原因，當(dāng)在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中測(cè)試太陽(yáng)能電池時(shí)，你應(yīng)該使用太陽(yáng)光模擬器來(lái)重現(xiàn)太陽(yáng)的輻照度。為了表征太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)光模擬器需要滿(mǎn)足關(guān)于時(shí)間穩(wěn)定性、光...

如何選擇紫外臭氧清洗機(jī)？今天的主角是我們的一款簡(jiǎn)易的紫外臭氧清洗機(jī)。來(lái)自其他制造商的紫外臭氧清潔機(jī)可以提供一系列附加功能。更多的功能常常會(huì)被誤認(rèn)為是更有效的性能。但是，在您的實(shí)驗(yàn)設(shè)置中評(píng)估附加功能的必要性和適用性總是很重要的。我們這款紫外臭氧清潔機(jī)本著簡(jiǎn)單高效的理念構(gòu)建，提供了一個(gè)有效工作的模型，沒(méi)有不必要的、復(fù)雜的或令人困惑的特性。1.加熱功能超過(guò)150°C，材料的溫度越高，紫外臭氧清洗的反應(yīng)速度越快。因此，提高襯底的溫度可以促進(jìn)更快的清洗速率。為此，一些系統(tǒng)將可加熱的樣品...

氮化硼封裝對(duì)2D半導(dǎo)體層等離子體處理的影響（下）結(jié)果和討論在樣品制備、器件制造和后處理過(guò)程中，2D材料或異質(zhì)結(jié)構(gòu)可能會(huì)遇到幾種形式的高能輻射源。使用的輻射源包括電子、離子(氬、氦和氙)和光子(激光、紫外線)通量。然而，離子束和紫外光分別是蝕刻和光刻工藝中最CY的。在這里，我們研究了h-BN，MoS2及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)在Ar+離子等離子體下曝光。氬離子等離子體是最CY的，因?yàn)闅逵捎谄涔逃械亩栊圆粫?huì)與樣品形成化學(xué)鍵。氬也是一種足夠重的離子，可以提供足夠的動(dòng)能以在合理的加速電壓下蝕刻樣品...

二維(2D)過(guò)渡金屬二硫族化合物(TMDCs)在光學(xué)、電子學(xué)、催化和能量存儲(chǔ)方面的應(yīng)用是研究的熱點(diǎn)。當(dāng)封裝在沒(méi)有電荷無(wú)序的環(huán)境中時(shí)，它們的光學(xué)和電子性質(zhì)可以顯著增強(qiáng)。因?yàn)榱降?h-BN)是原子級(jí)薄的、高度結(jié)晶的并且是強(qiáng)絕緣體，所以它是封裝和鈍化TMDCs常用的2D材料之一。在這份報(bào)告中，我們研究了超薄氮化硼如何屏蔽底層金屬氧化物半導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件制造和后處理過(guò)程中通常使用的高能氬等離子體的TMDCs層。像差校正的掃描透射電子顯微鏡用于分析h-BN和MoS2中的缺陷形成這...

石墨烯通常通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）在生長(zhǎng)基底上沉積，然后轉(zhuǎn)移到適合其特定應(yīng)用的目標(biāo)基底上。等離子體處理可用于支持和促進(jìn)各種石墨烯轉(zhuǎn)移方法。介紹石墨烯是一種具有六方晶體結(jié)構(gòu)的單原子碳層，由于其許多DT的材料特性，在過(guò)去幾十年中受到了廣泛的研究。憑借其高導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性、近乎光學(xué)的透明度和高機(jī)械強(qiáng)度，石墨烯被認(rèn)為是一種非常通用的二維材料，可用于廣泛的應(yīng)用，包括能源儲(chǔ)存、光學(xué)顯示和傳感器[1-3]。生產(chǎn)石墨烯的常見(jiàn)方法是CVD，使用碳?xì)浠衔餁怏w或含碳前體與催化襯底（如銅銅箔）結(jié)合...